BUK6Y57-60PX - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	BUK6Y57-60PX
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	23A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1.2nF @ 30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	66W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas	SC-100, SOT-669
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BUK617-500AE	ORIGINAL	BUK617-500AE ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
BUK6207-30C	ORIGINAL	BUK6207-30C ORIGINAL TO-252 New Original Stocks	Détails
BUK6207-30C,118	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 90A DPAK	Détails
BUK6207-55C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 90A DPAK	Détails
BUK6208-40C,118	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 90A DPAK	Détails
BUK6209-30C	ORIGINAL	BUK6209-30C ORIGINAL TO-252 New Original Stocks	Détails
BUK6209-30C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 50A DPAK	Détails
BUK6210-55C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 78A DPAK	Détails
BUK6211-75C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 74A DPAK	Détails
BUK6212-40C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 50A DPAK	Détails