NV6115 Description détaillée
Numéro d'article |
NV6115 |
État de la pièce |
Active |
Configuration de sortie |
Half Bridge |
Applications |
Mobile Communications |
Interface |
PWM |
Type de charge |
Inductive |
La technologie |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Rds sur (Typ) |
170 mOhm |
Courant - Sortie / Canal |
8A |
Courant - Sortie de crête |
- |
Tension - Alimentation |
10V ~ 24V |
Tension - Charge |
5.5V ~ 7V |
Température de fonctionnement |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
Caractéristiques |
- |
Protection contre les fautes |
- |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
8-PowerVDFN |
Package de périphérique fournisseur |
8-QFN (5x6) |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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