LN60A01ES-LF-Z - Monolithic Power Systems Inc.

Numéro d'article	LN60A01ES-LF-Z
État de la pièce	Active
FET Type	3 N-Channel, Common Gate
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.3W
Température de fonctionnement	-20°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage	-
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
LN60A01EP-LF	Monolithic Power Systems Inc.	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP	Détails
LN60A01ES-LF	Monolithic Power Systems Inc.	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC	Détails
LN60A01ES-LF-Z	Monolithic Power Systems Inc.	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC	Détails