MX2N5114

MX2N5114 - Microsemi Corporation

Numéro d'article
MX2N5114
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
N CHANNEL JFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - JFET
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3794 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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MX2N5114 Description détaillée

Numéro d'article MX2N5114
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) 30V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 90mA @ 18V
Drain de courant (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 10V @ 1nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V
Résistance - RDS (On) 75 Ohm
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-18 (TO-206AA)
Poids -
Pays d'origine -

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