MSDT200-16 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	MSDT200-16
État de la pièce	Obsolete
Structure	Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
Nombre de thyristors, diodes	1 SCR, 6 Diodes
Tension - État désactivé	1600V
Courant - Sur état (It (AV)) (Max)	200A
Courant - Sur état (It (RMS)) (Max)	-
Tension - Gate Trigger (Vgt) (Max)	3V
Courant - Gate Trigger (Igt) (Max)	150mA
Courant - Non Rep Surge 50, 60Hz (Itsm)	1900A @ 50Hz
Courant - Hold (Ih) (Max)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	M5 Module
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MSDT100-16	Microsemi Corporation	PWR MOD THYRISTOR 1600V 100V SM4	Détails
MSDT150-16	Microsemi Corporation	POWER MOD BRIDGE THY 3PH M5	Détails
MSDT200-16	Microsemi Corporation	PWR MOD THYRISTOR 1600V 200V SM4	Détails
MSDT75-16	Microsemi Corporation	PWR MOD THYRISTOR 1600V 75V SM4	Détails