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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples › JANTXV2N5013S
JANTXV2N5013S

JANTXV2N5013S - Microsemi Corporation

Numéro d'article
JANTXV2N5013S
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
NPN TRANSISTOR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
JANTXV2N5013S Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
16467 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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JANTXV2N5013S Description détaillée

Numéro d'article JANTXV2N5013S
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 800V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 10V
Puissance - Max 1W
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-39 (TO-205AD)
Poids -
Pays d'origine -

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