JANSR2N5153

JANSR2N5153 - Microsemi Corporation

Numéro d'article
JANSR2N5153
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
RH POWER BJT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2127 pcs
Prix ​​de référence
USD 77.3422/pcs
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JANSR2N5153 Description détaillée

Numéro d'article JANSR2N5153
État de la pièce Active
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Puissance - Max 1W
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-39 (TO-205AD)
Poids -
Pays d'origine -

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