JAN2N5012

JAN2N5012 - Microsemi Corporation

Numéro d'article
JAN2N5012
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
NPN TRANSISTOR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
16575 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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JAN2N5012 Description détaillée

Numéro d'article JAN2N5012
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 700V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 25mA, 10V
Puissance - Max 1W
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-5
Poids -
Pays d'origine -

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