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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices › JAN2N2919U
JAN2N2919U

JAN2N2919U - Microsemi Corporation

Numéro d'article
JAN2N2919U
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
TRANS 2NPN 60V 0.03A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
JAN2N2919U Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
499 pcs
Prix ​​de référence
USD 51.2262/pcs
Notre prix
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JAN2N2919U Description détaillée

Numéro d'article JAN2N2919U
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Puissance - Max 350mW
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement 200°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 3-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur 3-SMD
Poids -
Pays d'origine -

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