APTSM120TAM33CTPAG

APTSM120TAM33CTPAG - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTSM120TAM33CTPAG
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MODULE - SIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
44 pcs
Prix ​​de référence
USD 609.3608/pcs
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APTSM120TAM33CTPAG Description détaillée

Numéro d'article APTSM120TAM33CTPAG
État de la pièce Active
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET Caractéristique Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 408nC @ 20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7680pF @ 1000V
Puissance - Max 714W
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP6
Package de périphérique fournisseur SP6
Poids -
Pays d'origine -

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