APTML10UM09R004T1AG

APTML10UM09R004T1AG - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTML10UM09R004T1AG
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTML10UM09R004T1AG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
590 pcs
Prix ​​de référence
USD 43.605/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour APTML10UM09R004T1AG

APTML10UM09R004T1AG Description détaillée

Numéro d'article APTML10UM09R004T1AG
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 154A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9875pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SP1
Paquet / cas SP1
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR APTML10UM09R004T1AG