APTMC120HRM40CT3AG - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APTMC120HRM40CT3AG
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 12.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	161nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2788pF @ 1000V
Puissance - Max	375W
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	SP3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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