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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGF50H60T1G
APTGF50H60T1G

APTGF50H60T1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGF50H60T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGF50H60T1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
APTGF50H60T1G.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4377 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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APTGF50H60T1G Description détaillée

Numéro d'article APTGF50H60T1G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 65A
Puissance - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1
Poids -
Pays d'origine -

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