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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGF200U120DG
APTGF200U120DG

APTGF200U120DG - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGF200U120DG
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 1200V 275A 1136W SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGF200U120DG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
APTGF200U120DG.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3650 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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APTGF200U120DG Description détaillée

Numéro d'article APTGF200U120DG
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 275A
Puissance - Max 1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 13.8nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP6
Package de périphérique fournisseur SP6
Poids -
Pays d'origine -

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