| Numéro d'article | APTDF100H601G |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Standard |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 600V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 135A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 100A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 600V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SP1 |
| Package de périphérique fournisseur | SP1 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APTDF100H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Détails |
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APTDF100H1201G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Détails |
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APTDF100H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Détails |
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APTDF100H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Détails |
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APTDF100H20G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Détails |
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APTDF100H601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Détails |
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APTDF100H60G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Détails |
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APTDF200H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Détails |
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APTDF200H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Détails |
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APTDF200H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Détails |
