APTDC40H1201G - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APTDC40H1201G
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Silicon Carbide Schottky
Tension - Peak Reverse (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	40A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.8V @ 40A
Courant - Fuite inverse @ Vr	800µA @ 1200V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	SP1
Package de périphérique fournisseur	SP1
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APTDC10H601G	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 10A 600V SP1	Détails
APTDC20H1201G	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 20A 1200V SP1	Détails
APTDC20H601G	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 20A 600V SP1	Détails
APTDC40H1201G	Microsemi Corporation	POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1	Détails
APTDC40H601G	Microsemi Corporation	POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1	Détails
APTDC902U601G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE 600V 90A SP1	Détails