APTC90H12T2G

APTC90H12T2G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTC90H12T2G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
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4047 pcs
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APTC90H12T2G Description détaillée

Numéro d'article APTC90H12T2G
État de la pièce Obsolete
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Super Junction
Drain à la tension de source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 100V
Puissance - Max 250W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP2
Package de périphérique fournisseur SP2
Poids -
Pays d'origine -

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