APTC90H12T1G

APTC90H12T1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTC90H12T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTC90H12T1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
379 pcs
Prix ​​de référence
USD 69.2218/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour APTC90H12T1G

APTC90H12T1G Description détaillée

Numéro d'article APTC90H12T1G
État de la pièce Active
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Super Junction
Drain à la tension de source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 100V
Puissance - Max 250W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR APTC90H12T1G