APTC80H29T1G

APTC80H29T1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTC80H29T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
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4317 pcs
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APTC80H29T1G Description détaillée

Numéro d'article APTC80H29T1G
État de la pièce Obsolete
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2254pF @ 25V
Puissance - Max 156W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1
Poids -
Pays d'origine -

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