APTC80DA15T1G

APTC80DA15T1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTC80DA15T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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3771 pcs
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APTC80DA15T1G Description détaillée

Numéro d'article APTC80DA15T1G
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 28A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4507pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 277W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 14A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SP1
Paquet / cas SP1
Poids -
Pays d'origine -

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