APT94N60L2C3G - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT94N60L2C3G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	94A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 5.4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	640nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	833W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 60A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	264 MAX™ [L2]
Paquet / cas	TO-264-3, TO-264AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT94N60L2C3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 94A TO264	Détails
APT94N65B2C3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 94A TO-247	Détails
APT94N65B2C6	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX	Détails