APT47N65SCS3G - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT47N65SCS3G
État de la pièce	Active
FET Type	-
La technologie	-
Drain à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	-
Package de périphérique fournisseur	-
Paquet / cas	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT47F60J	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227	Détails
APT47GA60JD40	Microsemi Corporation	IGBT 600V 87A 283W SOT-227	Détails
APT47M60J	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227	Détails
APT47N60BC3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 47A TO-247	Détails
APT47N60SC3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK	Détails
APT47N65BC3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 47A TO-247	Détails
APT47N65SCS3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 47A TO-247	Détails