APT44GA60BD30 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT44GA60BD30
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	78A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	130A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 26A
Puissance - Max	337W
Échange d'énergie	409µJ (on), 258µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	128nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	16ns/84ns
Condition de test	400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-3
Package de périphérique fournisseur	TO-247 [B]
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT44F80B2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX	Détails
APT44F80L	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 44A TO-264	Détails
APT44GA60B	Microsemi Corporation	IGBT 600V 78A 337W TO-247	Détails
APT44GA60BC	MICROSEMI	APT44GA60BC MICROSEMI Standa.. New Original Stocks	Détails
APT44GA60BD30	Microsemi Corporation	IGBT 600V 78A 337W TO-247	Détails
APT44GA60BD30C	Microsemi Corporation	IGBT 600V 78A 337W TO247	Détails