APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT33GF120LRDQ2G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 1200V 64A 357W TO264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4088 pcs
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APT33GF120LRDQ2G Description détaillée

Numéro d'article APT33GF120LRDQ2G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 64A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Puissance - Max 357W
Échange d'énergie 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 170nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14ns/185ns
Condition de test 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-264-3, TO-264AA
Package de périphérique fournisseur TO-264 [L]
Poids -
Pays d'origine -

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