APT102GA60B2 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT102GA60B2
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	183A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	307A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 62A
Puissance - Max	780W
Échange d'énergie	1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	294nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	28ns/212ns
Condition de test	400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-3 Variant
Package de périphérique fournisseur	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD	Détails
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD	Détails
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APT1002RBN	APT	APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks	Détails
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APT10035B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
APT10035JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227	Détails
APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	Détails