APT100GN60LDQ4G - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT100GN60LDQ4G
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	229A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 100A
Puissance - Max	625W
Échange d'énergie	4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	600nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	31ns/310ns
Condition de test	400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-264-3, TO-264AA
Package de périphérique fournisseur	TO-264 [L]
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD	Détails
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD	Détails
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APT10035B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
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APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	Détails