APT100GLQ65JU3 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT100GLQ65JU3
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Single Chopper
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	165A
Puissance - Max	430W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 1000A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	50µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	6.1nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur	ISOTOP®
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD	Détails
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD	Détails
APT10021JFLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	Détails
APT10021JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	Détails
APT1002RBN	APT	APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks	Détails
APT1002RBNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD	Détails
APT10035B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
APT10035B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
APT10035JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227	Détails
APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	Détails