APT100DL60HJ - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT100DL60HJ
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	600V
Courant - Rectifié moyen (Io)	100A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	2V @ 100A
Courant - Fuite inverse @ Vr	250µA @ 600V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur	SOT-227
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD	Détails
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD	Détails
APT10021JFLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	Détails
APT10021JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	Détails
APT1002RBN	APT	APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks	Détails
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APT10035B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
APT10035B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
APT10035JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227	Détails
APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	Détails