2N5014S - Microsemi Corporation

Numéro d'article	2N5014S
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	200mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	900V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 5mA, 20mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	10nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 20mA, 10V
Puissance - Max	1W
Fréquence - Transition	-
Température de fonctionnement	-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur	TO-39 (TO-205AD)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N5000	Microsemi Corporation	NPN SILICON TRANSISTOR	Détails
2N5001	Microsemi Corporation	NPN SILICON TRANSISTOR	Détails
2N5002	Microsemi Corporation	NPN SILICON TRANSISTOR	Détails
2N5002_02	SEMICOA	Silicon NPN Transistor	Détails
2N5003	Microsemi Corporation	NPN SILICON TRANSISTOR	Détails
2N5003_02	SEMICOA	Silicon PNP Transistor	Détails
2N5004	Microsemi Corporation	NPN SILICON TRANSISTOR	Détails
2N5004_02	SEMICOA	Silicon NPN Transistor	Détails
2N5005	Microsemi Corporation	NPN SILICON TRANSISTOR	Détails
2N5005_02	SEMICOA	Silicon PNP Transistor	Détails