2N4093UB - Microsemi Corporation

Numéro d'article	2N4093UB
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS)	40V
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	8mA @ 20V
Drain de courant (Id) - Max	-
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 20V
Résistance - RDS (On)	80 Ohm
Puissance - Max	360mW
Température de fonctionnement	-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	3-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur	3-UB (3.09x2.45)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N4000	CENTRAL	Small Signal Transistors	Détails
2N4001	CENTRAL	Small Signal Transistors	Détails
2N4003K	WEITRON	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	Détails
2N4012	EXSHINE	silicon transistors UHF/VHF power transistors	Détails
2N4013	Central Semiconductor Corp	TRANS NPN 30V TO-18	Détails
2N4014	Central Semiconductor Corp	TRANS NPN 50V TO-18	Détails
2N4015	Central Semiconductor Corp	TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6	Détails
2N4016	Central Semiconductor Corp	TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6	Détails
2N4021	EXSHINE	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS	Détails
2N4023	EXSHINE	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS	Détails