| Numéro d'article | 1N8163 |
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| État de la pièce | Active |
| Type | - |
| Canaux unidirectionnels | - |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | - |
| Tension - Panne (Min) | - |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | - |
| Puissance - Impulsion de crête | - |
| Protection de ligne électrique | - |
| Applications | - |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Détails |
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1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | Détails |
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1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | Détails |
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1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | Détails |
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1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | Détails |
