| Numéro d'article | 1N6103AUS |
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| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | - |
| Canaux bidirectionnels | 1 |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 5.7V |
| Tension - Panne (Min) | 7.13V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.2V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 44.6A |
| Puissance - Impulsion de crête | 500W |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SQ-MELF, B |
| Package de périphérique fournisseur | B, SQ-MELF |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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1N60 | JF | 1N60 JF SMD or Through Hole New Original Stocks | Détails |
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1N6000A | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Détails |
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1N6000B | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Détails |
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1N6000B BK | Central Semiconductor Corp | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Détails |
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1N6000B TR | Central Semiconductor Corp | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Détails |
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1N6000B_T50A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Détails |
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1N6000B_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Détails |
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1N6000C | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Détails |
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1N6000D | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Détails |
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1N6000UR | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Détails |
