NAND01GW3B2BZA6E - Micron Technology Inc.

Numéro d'article	NAND01GW3B2BZA6E
État de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NAND
Taille mémoire	1Gb (128M x 8)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	30ns
Temps d'accès	30ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	63-TFBGA
Package de périphérique fournisseur	63-VFBGA (9x11)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NAND016R3B2CZA6	ST	NAND016R3B2CZA6 ST BGA New Original Stocks	Détails
NAND01G-B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	Détails
NAND01G-N	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Détails
NAND01GR3B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	Détails
NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	Détails
NAND01GR3B2CZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	Détails
NAND01GR3N6	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Détails
NAND01GR4N5	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Détails
NAND01GW382CN6	STM	NAND01GW382CN6 STM TSOP New Original Stocks	Détails
NAND01GW3A0AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP	Détails