MTA4ATF51264HZ-2G6E1

MTA4ATF51264HZ-2G6E1 - Micron Technology Inc.

Numéro d'article
MTA4ATF51264HZ-2G6E1
Fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3215 pcs
Prix ​​de référence
USD 56.9306/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour MTA4ATF51264HZ-2G6E1

MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Description détaillée

Numéro d'article MTA4ATF51264HZ-2G6E1
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR4
Taille mémoire 32Gb (512M x 64)
Fréquence d'horloge 1333MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.2V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR MTA4ATF51264HZ-2G6E1