| Numéro d'article | MT53D256M64D4NY-046 XT:B |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de la mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
| Fréquence d'horloge | 2133MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | - |
| Tension - Alimentation | 1.1V |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | Détails |
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MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | Détails |
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MT53D256M64D4KA-046 XT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | Détails |
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MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | Détails |
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MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | Détails |
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MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | Détails |
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MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | Détails |
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MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | Détails |
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MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | Détails |
