| Numéro d'article | MT53B256M32D1DS-062 AUT:C |
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| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de la mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
| Fréquence d'horloge | 1600MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | - |
| Tension - Alimentation | 1.1V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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MT53B256M16D1Z00MWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 4G DIE 256MX16 | Détails |
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MT53B256M32D1DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Détails |
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MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Détails |
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MT53B256M32D1DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Détails |
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MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Détails |
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MT53B256M32D1DS-062 AUT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Détails |
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MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Détails |
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Détails |
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Détails |
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MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | LPDDR4 256MX64 WFB | Détails |
