| Numéro d'article | MT53B128M32D1DS-062 AUT:A |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de la mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Taille mémoire | 4Gb (128M x 32) |
| Fréquence d'horloge | 1600MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | - |
| Tension - Alimentation | 1.1V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 200-WFBGA |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | Détails |
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | Détails |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Détails |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Détails |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Détails |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Détails |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Détails |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Détails |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Détails |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Détails |
