MT40A1G8WE-083E AAT:B

MT40A1G8WE-083E AAT:B - Micron Technology Inc.

Numéro d'article
MT40A1G8WE-083E AAT:B
Fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MT40A1G8WE-083E AAT:B Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
8612 pcs
Prix ​​de référence
USD 21.25373/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour MT40A1G8WE-083E AAT:B

MT40A1G8WE-083E AAT:B Description détaillée

Numéro d'article MT40A1G8WE-083E AAT:B
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR4
Taille mémoire 8Gb (1G x 8)
Fréquence d'horloge 1.2GHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.14V ~ 1.26V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR MT40A1G8WE-083E AAT:B