MT29F4G16ABADAM60A3WC1 - Micron Technology Inc.

Numéro d'article: MT29F4G16ABADAM60A3WC1
Fabricant: Micron Technology Inc.
Brève description: IC FLASH 4GBIT WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie: Mémoire
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Numéro d'article	MT29F4G16ABADAM60A3WC1
État de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NAND
Taille mémoire	4Gb (256M x 16)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	-
Paquet / cas	-
Package de périphérique fournisseur	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MT29F4G16AACWC-ET:C TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 4GBIT 48TSOP	Détails
MT29F4G16AACWC:C TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 4GBIT 48TSOP	Détails
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D	Micron Technology Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA	Détails
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 4GBIT 63VFBGA	Détails
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D	Micron Technology Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL FBGA	Détails
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MT29F4G16ABADAH4-IT:D	Micron Technology Inc.	IC FLASH 4GBIT 63VFBGA	Détails
MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 4GBIT 63VFBGA	Détails
MT29F4G16ABADAH4:D	Micron Technology Inc.	IC FLASH 4GBIT 63VFBGA	Détails
MT29F4G16ABADAH4:D TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 4GBIT 63VFBGA	Détails