| Numéro d'article | MT29F4G08ABADAWP:D |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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MT29F4G01AAADDHC-IT:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Détails |
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MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Détails |
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MT29F4G01AAADDHC-ITX:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Détails |
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MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Détails |
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MT29F4G01AAADDHC:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Détails |
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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | Détails |
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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | Détails |
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MT29F4G01ABAFD12-ITES:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | Détails |
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MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | Détails |
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI UPDFN | Détails |
