EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D - Micron Technology Inc.

Numéro d'article
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
12900 pcs
Prix ​​de référence
USD 14.18985/pcs
Notre prix
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EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D Description détaillée

Numéro d'article EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire 4Gb (128M x 32)
Fréquence d'horloge 533MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TC)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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