IXDN602D2TR - IXYS Integrated Circuits Division

Numéro d'article	IXDN602D2TR
État de la pièce	Active
Configuration pilotée	Low-Side
Type de canal	Independent
Nombre de pilotes	2
Type de porte	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation	4.5 V ~ 35 V
Tension logique - VIL, VIH	0.8V, 3V
Courant - sortie de crête (source, évier)	2A, 2A
Type d'entrée	Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap)	-
Rise / Fall Time (Typ)	7.5ns, 6.5ns
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	8-DFN-EP (5x4)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXDN402PI	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP	Détails
IXDN402SI	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC	Détails
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IXDN402SIA	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC	Détails
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IXDN404PI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP	Détails
IXDN404SI	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC	Détails
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IXDN409CI	IXYS	IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5	Détails