VMM1000-01P - IXYS

Numéro d'article	VMM1000-01P
État de la pièce	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1000A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 800A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2355nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Y3-Li
Package de périphérique fournisseur	Y3-Li
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VMM1000-01P	IXYS	MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI	Détails
VMM1300NQG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC MULTI MONITOR CTRLR 148VFQFP	Détails
VMM1500-0075P	IXYS	MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI	Détails