MKI50-12E7

MKI50-12E7 - IXYS

Numéro d'article
MKI50-12E7
Fabricant
IXYS
Brève description
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4324 pcs
Prix ​​de référence
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MKI50-12E7 Description détaillée

Numéro d'article MKI50-12E7
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 90A
Puissance - Max 350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 800µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.8nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas E2
Package de périphérique fournisseur E2
Poids -
Pays d'origine -

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