MIEB101H1200EH

MIEB101H1200EH - IXYS

Numéro d'article
MIEB101H1200EH
Fabricant
IXYS
Brève description
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
246 pcs
Prix ​​de référence
USD 110.108/pcs
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MIEB101H1200EH Description détaillée

Numéro d'article MIEB101H1200EH
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 183A
Puissance - Max 630W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 300µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas E3
Package de périphérique fournisseur E3
Poids -
Pays d'origine -

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