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MCB40P1200LB - IXYS

Numéro d'article: MCB40P1200LB
Fabricant: IXYS
Brève description: POWER MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: MCB40P1200LB Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: -
Catégorie: Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 900 pcs
Prix de référence: USD 182.854/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

MCB40P1200LB Description détaillée

Numéro d'article	MCB40P1200LB
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Caractéristique	Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	9-SMD Power Module
Package de périphérique fournisseur	SMPD
Poids	-
Pays d'origine	-

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