IXTY1R4N60P TRL - IXYS

Numéro d'article	IXTY1R4N60P TRL
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTY10P15T	IXYS	MOSFET P-CH 150V 10A TO-252	Détails
IXTY12N06T	IXYS	MOSFET N-CH 60V 12A TO-252	Détails
IXTY12N06TTRL	IXYS	MOSFET N-CH 60V 12A TO-252	Détails
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IXTY15P15T	IXYS	MOSFET P-CH 150V 15A TO-252	Détails
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IXTY1N80	IXYS	MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA	Détails
IXTY1N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 1A TO-252	Détails