IXTU55N075T - IXYS

Numéro d'article	IXTU55N075T
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	75V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	55A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-251
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTU01N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK	Détails
IXTU01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251	Détails
IXTU01N80	IXYS	MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251	Détails
IXTU02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251	Détails
IXTU05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251	Détails
IXTU05N120	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251	Détails
IXTU06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251	Détails
IXTU08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251	Détails
IXTU12N06T	IXYS	MOSFET N-CH 60V 12A TO-251	Détails
IXTU1R4N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251	Détails