IXTA200N075T7 - IXYS

Numéro d'article	IXTA200N075T7
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	75V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	160nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263-7 (IXTA..7)
Paquet / cas	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTA200N055T2	IXYS	MOSFET N-CH 55V 200A TO-263	Détails
IXTA200N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 200A TO-263	Détails
IXTA200N075T7	IXYS	MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7	Détails
IXTA200N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 200A TO-263	Détails
IXTA200N085T7	IXYS	MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7	Détails
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IXTA220N04T2-7	IXYS	MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7	Détails
IXTA220N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 220A TO-263	Détails
IXTA220N055T7	IXYS	MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7	Détails
IXTA220N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 220A TO-263	Détails