IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV - IXYS

Numéro d'article
IXTA1N200P3HV
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXTA1N200P3HV Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IXTA1N200P3HV.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
225 pcs
Prix ​​de référence
USD 19.6/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV Description détaillée

Numéro d'article IXTA1N200P3HV
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 2000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 23.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 646pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263 (IXTA)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXTA1N200P3HV